报告题目：低维纳米材料中的缺陷、电子结构和声子输运性质（Defects, electronic structures and phonon transport properties in low dimensional nanomaterials）

报告时间：2018年3月13日上午8:30-10:30

报告地点：动力楼204多媒体会议室

报告人：韩洋博士

主办单位：科学技术研究院

承办单位：动力与能源工程学院

报告内容：

石墨烯的半金属性和带隙的缺乏限制了其在纳米电子学中的应用。新型低维纳米材料如二硫化钼、二硫化钨等化合物具有本征带隙，使其在纳米电子学领域的表现优于传统的石墨烯。但在实验上合成和制备单层二硫化钼时，不可避免在合成的样品中存在缺陷。这些缺陷将对样品的力学和电磁性质都会产生影响。本报告讲述关于含有单S和双S空位线缺陷的单层MoS2和MoS2纳米带的稳定性、电子结构和磁性性质。此外，声子输运性质计算表明基态棒槌形状(LHD Silicene/Gemanene)的二维硅/锗的晶格热导率都比普通低褶皱(LB silicene)硅稀的低，在热电领域具有潜在的应用价值。

韩洋博士简介：

韩洋博士主要从事关于材料的热输运、热电和电磁性质等方面的数值模拟研究。2009年9月，进入南京大学物理系学习，并于2014年7月获得理学博士学位。之后赴RWTH Aachen University进行为期两年的博士后研究工作。2016年加入动力学院。在理论计算和数值模拟领域，共发表SCI论文18篇，其中第1作者11篇，他引百余次。另外，两次以第1作者身份，在1区杂志Nanotechnology发表亮点文章。